【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0231

利用課題名 / Title

ALDによる金属薄膜成膜

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

エレクトロデバイス/ Electronic device,高周波デバイス/ High frequency device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,電子分光/ Electron spectroscopy,フォトニクス/ Photonics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

牧野 孝太郎

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-074：エックス線光電子分光分析装置(XPS)
AT-081：プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）
AT-024：抵抗加熱型真空蒸着装置
AT-030：プラズマCVD薄膜堆積装置
AT-023：電子ビーム真空蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ALDやCVDによる高品質な金属薄膜の形成は、エレクトロニクス、高周波デバイスの製造に欠かせない技術である。本課題では様々な応用を想定し、主に金属薄膜の形成技術と得られた薄膜の評価を実施した。

実験 / Experimental

ALD・CDVプロセス開発のため、機器利用や技術代行で基板の下地層の成膜や、金属薄膜の形成を実施した。しかし、分析は共用施設の装置を使用せず実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

下地層など、所望する薄膜を形成することができ、ALD・CVDプロセスの開発を進展させることができた。また、蒸着で成膜した金属膜との比較や、成膜条件を変化させた場合にCVD成膜に及ぼされる影響を評価し、新たな知見を言えることができた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件