【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0202
利用課題名 / Title
回折光学素子のウエハ全面への作製
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
メタサーフィス,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,メタマテリアル/ Metamaterial,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
和也 君野
所属名 / Affiliation
大阪大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田 賢一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年、物質表面に形成したナノ・マイクロ構造体によって光のスペクトル、指向性や偏光を制御できるようになった。シミュレーションで得られた光制御特性を実サンプルで実証するため、シリコン基板上に微細なＳｉピラーパターンを形成した。
実験 / Experimental
最初にシリコン基板上にレジストを塗布し、その後ｉ線ステッパー(NPF-011)を使用してエッチングのマスクとなるレジストパターンを形成した。次に別施設のエッチング装置(ICP-RIE)によりボッシュプロセスを利用して高アスペクトパターンを形成した。最後にレジスト除去を行い、所望するパターンを得ることができた。
結果と考察 / Results and Discussion
図１は完成したピラーパターンの一部を観察したＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）像である。
ステッパーの露光時間、現像条件およびエッチング（ボッシュプロセス）のサイクル数を最適化することにより、ウエハ全面に従来より高アスペクト比のピラーパターンを設計通りに均一性良く形成することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SIM image of Si pillars fabricated by i-line stepper and ICP Etcher. Bar is 3.5mm
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件