【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0198
利用課題名 / Title
窒化物半導体デバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 高寛
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ポスト5G無線通信向けデバイスの研究開発が求められており、窒化物半導体を用いたトランジスタはその候補の一つである。本研究では、窒化物半導体デバイスの特性向上を目的として微細加工プロセスの確立を目指す。
実験 / Experimental
高速動作が必要なトランジスタのゲート電極は、ゲート長を短くすると同時にゲート抵抗を下げる必要があることからT字型の電極が用いられる。T字型電極の作製条件を見出すため、Si基板上にEBレジストとLORレジストを積層した。多層レジスト構造に高速電子ビーム描画装置を用いて2回露光を行った。現像後、電子ビーム蒸着装置を用いてメタルを蒸着してゲート電極を作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
多層レジスト構造にEB露光装置で2回露光し、現像まで行なったサンプルの断面SEM観察を行なった。適切な露光条件と現像条件を選ぶことで微細なゲート構造を作製できることがわかった。また、電子ビーム蒸着装置を用いてメタルを蒸着後、リフトオフを行うことで作製した電極の断面SEM像を観察した。その結果、電極の根本部分は100nmを下回る、電極上部は300nm以上のT字型電極が作製できていることが確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件