【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0195
利用課題名 / Title
超伝導量子ビットの3次元実装
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,量子コンピューター/ Quantum computer,先端半導体（超高集積回路）/ Ascanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山本 智子
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
渋谷 直哉
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
超伝導量子ビットの3次元実装にあたり、超伝導金属であるPbを成膜後、パッドやデバイスをフォトリソグラフィーやエッチングによって作製、ダイシングによってチップ化し、上下チップを直接接合する。これらのチップを作製するにあたり、金属膜の成膜時の下地にTiやAuの薄膜を成膜する必要があり、NPFにおいてこれらの金属を成膜した。
実験 / Experimental
AT-095 RF-DCスパッタ成膜装置を利用し、SiウエハにTi 10nmおよび50nm、さらにTi 10nm成膜後、Au 50nmを成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
成膜後、Pbの蒸着を行なった。Ti下地およびTi/Au下地ウエハでの成膜を比較したところ、双方ともPb蒸着膜の変色の偏析が見られた。これは蒸着装置のシャッターの位置によるものだと考えられる。Ti下地のものは研磨によりPbの剥がれが見られ、Ti/Au下地は研磨による剥がれが少なかったことからAuによる接着層の効果が現れたと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図. Pb成膜後のウェハ表面写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件