【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0177
利用課題名 / Title
SiGeトランジスタ試作
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
PVD,スパッタリング/ Sputtering,先端半導体（超高集積回路）/ Ascanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
太田 裕之
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黒澤悦男
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
川又 彰夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-081：プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）
AT-095：RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ナノプロセシング施設（NPF）を利用して半導体デバイスを試作した。具体的にはAT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)とAT-095RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）を利用してキャパシタとトランジスタを試作した。
実験 / Experimental
AT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を使ってSi(100)単結晶基板上にSiO2を200nm堆積した。これを素子分離用のField Oxide膜として利用し、その後他クリーンルームの装置を使いトランジスタ構造を作成した。ゲート絶縁膜としてはAT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を用いて、CVD SiO2を10 nm形成した。ゲート電極は他CRで形成したスパッタTaN 50 nmである。その後他CRを活用しつつデバイス試作を進め、層間絶縁膜として、AT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を用いて SiO2 200nmを形成し、配線としてはAT-095 RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）を用いてAl膜をスパッタ成膜し、配線パターニングを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
試作したデバイスの電気特性の評価事例として、AT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を使って 形成したCVD SiO2をゲート絶縁膜とするTaN/CVD-SiO2 10 nm/Si(100)構造の界面準位密度の評価結果を報告する。評価方法は100 um x 100um サイズのMOSキャパシタにコンダクタンス法を適用して、界面準位密度を求めた。MOSキャパシタの容量電圧（CV）特性と界面準位密度の測定結果からフラットバンド電圧の界面準位密度は 3 x1012 (eV-1 cm-2）と大きいが、CV特性の形も良好であり、AT-081プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)で形成したSiO2膜も、熱酸化膜（界面準位密度～1010 (eV-1 cm-2）には及ばないものの、簡易的なゲート絶縁膜として使えることが分った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件