【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0156
利用課題名 / Title
フォトリソグラフィによる，Si基板の微細加工検証
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
今泉 伸治
所属名 / Affiliation
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-006：マスクレス露光装置
AT-019：多目的エッチング装置(ICP-RIE)
AT-004：電界放出形走査電子顕微鏡[S4800_FE-SEM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本報告書では、マスクレス露光装置によるフォトリソグラフィプロセスを用いた微細加工検討結果について報告する。本検討では、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設の設備を利用して、Si基板への微細パターン描画・エッチング・ALD法による成膜検討などを行った。
実験 / Experimental
微細構造形成にあたり、Si/SiO2基板（もしくは石英基板）上に、電子ビームリソグラフィによるパターン形成を行った。描画は、マスクレス露光装置（ナノシステムズ社製）を用いて実施した。この時使用したレジストはAZZEP520Aである。描画・現像の後、深堀エッチング装置を用いて微細加工パターンを形成した．最後に、同装置で，レジストをアッシングして工程を完了した。
結果と考察 / Results and Discussion
EBLによるリソグラフィ工程，DRIEによるSiエッチング工程後の基板パターン画像をFig.1に示す．露光条件，およびエッチング条件を最適化することで， Fig.1に示す通り、回折限界領域のパターンにおいても，良好な描画が可能となった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Surface FE-SEM image of micro-hole arrays
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件