【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0151
利用課題名 / Title
カーボンナノチューブの高度な半導体応用方法の開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
ナノワイヤ、ナノチューブ,カーボン系材料,シリコン基材料・デバイス,エレクトロデバイス/ Electronic device,ナノチューブ/ Nanotube
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
生田 美植
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山 和義,大塚 照久
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
カーボンナノチューブを利用した抵抗変化型記憶素子については、その動作機構が充分に解明されていない。温度を変化させて電気的な計測することで導電特性を得て解明の一助とする。
実験 / Experimental
カーボンナノチューブの膜を電極で挟んだ構造を、別の機関で作成し、支援機関の物理特性測定装置で温度を変化させて電気抵抗測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
2端子による直流電気計測を、室温から2Kの間で行った。カーボンナノチューブ膜の初期状態と、Set状態(低抵抗)およびReset状態(高抵抗)の電流電圧特性について、図１に室温の場合、図２に2Kの場合を示す。低温ほど抵抗が上昇しており、グラフの傾向と合わせて半導体的な特性を示している。また低温において、初期状態よりもSet状態の方が抵抗が高い特徴が見られる。それぞれの状態における抵抗の温度特性を解析して導電機構の解明を行いたい。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１.室温における電流電圧特性
図２.２Kにおける電流電圧特性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
無し
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件