【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0092
利用課題名 / Title
半導体プロセス用材料の性能評価およびプロセス検討
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
原子層堆積, ALD, TDMAT,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
袴田 旺弘
所属名 / Affiliation
富士フイルム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本課題は半導体プロセス用材料の性能評価を目的として、TDMATとNH3を用いて熱ALD成膜条件の検討を実施した。
実験 / Experimental
・利用した主な実験装置
【NPF104】原子層堆積装置_4[FlexAL]、エリプソメーター、XPS
・実験方法
原子層堆積装置(FlexAL)を用いてSi基板上に熱ALD法でTiNを成膜した。以下に成膜条件を示す。
プリカーサー：TDMAT
反応剤：NH3
成膜温度：350℃
サイクル数：20, 50 cycle
成膜後にエリプソメーターおよびXPSを用いて膜厚と元素組成を解析した。
結果と考察 / Results and Discussion
エリプソメーターを用いて膜厚を測定した結果を図1に示す。GPC＝0.82Å/cycであり、Si基板に対してインキュベーションタイム無く、成膜が進行している様子を確認した。
次に、50cycでTiNを成膜したサンプルに対してXPSで元素組成を測定した結果を図2に示す。「Ti」と「N」が同比率で成膜されている様子を確認した。
今後は、他の分析手法を用いて膜質について詳細に評価を進めていく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 膜厚
図2.元素組成
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
技術補助・代行をご担当いただいた山崎将嗣様はじめ、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設の皆様に深く感謝致します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件