【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0082
利用課題名 / Title
Ge (111)のドライエッチング
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,集束イオンビーム/ Focused ion beam,エリプソメトリ/ Ellipsometry,エレクトロデバイス/ Electronic device,先端半導体（超高集積回路）/ Ascanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石井 寛仁
所属名 / Affiliation
東京理科大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
郭 哲維
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-018：反応性イオンエッチング装置 (RIE)
AT-034：集束イオンビーム加工観察装置(FIB)
AT-063：分光エリプソメータ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Geは電子・正孔移動度がSiよりも高いことからSiに代わる新しいチャネル材料として注目されている．NPFではGe(111)のドライエッチングを行ったのでそれを報告する．
実験 / Experimental
Ge (111)基板上にドットのパターンをフォトレジストで形成し，【AT-018】RIEにてドライエッチングすることでGe (111)のエッチング深さを測定し．エッチングレートを求めた．RIEの条件はパワー30WでSF6/O2=6/54を用いた．
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1にGe (111)の各エッチング時間に対するエッチング深さを示す．図からエッチング深さとエッチング時間の良好な線形性が見られ，プロットの傾きからエッチングレートは93.0nm/minと見積もられた．今後はGe (111)を用いたFETの作製を行い，デバイスの高移動度化を目指す．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SF6/O2プラズマによるGe (111)のエッチングレート
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件