【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0078
利用課題名 / Title
シリコン酸化膜のドライエッチング
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン酸化膜，エッチング,エレクトロデバイス/ Electronic device,CVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石濱 晃
所属名 / Affiliation
株式会社エルテック
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道,赤松 雅洋,川又 彰夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-101：Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕
AT-030：プラズマCVD薄膜堆積装置
AT-081：プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン酸化膜のドライエッチングにおいて、シリコンとの高選択比ドライエッチングプロセスは半導体デバイス製造プロセスにおいて広く用いられている。 本検討では、C4F8及びArガスを用い高密度プラズマエッチング装置におけるエッチングガス組成とシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のエッチングレートを測定したので報告する。
実験 / Experimental
シリコンウエハー上にTEOS酸化膜或はシリコン窒化膜をプラズマCVD装置で成膜したサンプル及びシリコンウエハーを短冊状に切り出し、部分的にカプトンテープでマスキングしたサンプルを用いた。 エッチングレートはエッチング後の試料のエッチング領域と非エッチング領域の段差を接触式段差計で測定した結果から算出した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.１にガス組成とTEOS酸化膜，シリコン窒化膜，シリコンのエッチングレート及び選択比との関係を示した。C4F8流量が3.5％以上でTEOS膜及びシリコン窒化膜のエッチングレートはほぼ一定値を示し、TEOS／SiNの選択比は4～5の間で推移した。 高密度プラズマエッチング装置を用いたC4F8＋ArプラズマエッチングにおいてC4F8ガス流量が５～１５％近辺でシリコン酸化膜のエッチングレートの変化がみられることが有るが、本検討では大きな変化は見られなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Etching Rate and Selectivity as a function of Gas Composition
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本検討を進めるにあたり、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 TIA 推進センター 共用施設ステーション ステーション長 多田博士、コーディネータ 有本博士、赤松博士、佐藤様、中島様、川又様には有益なご助言をいただいたことを感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件