【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0074

利用課題名 / Title

アルミナ膜特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

アルミナALD膜,IV特性,絶縁破壊,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,ALD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

仲村 慎之介

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-031：原子層堆積装置_1[FlexAL]
AT-099：サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

熱酸化膜＋アルミナALD膜による絶縁破壊強度を把握するために、熱酸化膜付きSi基板上に成膜したアルミナALD膜のIV評価を行った。

実験 / Experimental

熱酸化膜付きの4インチp型シリコンウエハに下記装置でアルミナをALD成膜した。
【NPF099】サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
【NPF105】ピュアオゾン供給装置
(どちらも23/04～06に使用　支援種別：技術代行1)
 表1と図1にサンプルの作製条件と断面模式図を示す。

結果と考察 / Results and Discussion

図2は各サンプルを3回評価したときのIV特性である。絶縁破壊が起こる電圧は、No.1(アルミナ単層)は-30V付近であることに対し、No.2(アルミナ層＋熱酸化膜層)は装置の測定限界である-100Vにおいても絶縁破壊が起こらなかった。基板－上部電極間の膜厚合計は、No.1が30nm、No.2が80nmではあるが、膜厚の大きさ以上に熱酸化膜層追加による絶縁耐性が向上した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表1 実験サンプルの作製条件

図1 IV評価用実験サンプルの断面模式図

図2 各サンプルのIV特性評価結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件