【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0060
利用課題名 / Title
ALDによる極薄膜の作製
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
センサ/ Sensor,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
馬場 亮吉
所属名 / Affiliation
株式会社SteraVision
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
上塚尚登
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ALD (Atomic Layer Deposition) 法は、単原子層ずつ成膜するため、ピンホールフリーの極薄膜の成膜およびステップカバレッジに優れている。ステップカバレッジの成膜特性に優れるALD法による極薄膜は、微細加工分野において、様々なアプリケーションに期待できる。本実験では、この極薄膜の膜厚の面内分布の傾向を膜の電気特性から推定できないか検討した。
実験 / Experimental
8インチウエハ上にALD法により極薄膜としてZnOを形成し、膜の電気特性の評価より膜厚の面内分布の傾向を推定する。
結果と考察 / Results and Discussion
ALDで2回成膜し極薄膜のZnOの電気特性を調べた。中央部を1として規格化/指数化すると1回目は外周部で1.56～1.77、２回目は外周部で3.12～3.41であった。両サンプルウエハとも、面内分布はほぼ同心円状であり、膜厚は中央部で薄め外周部で厚めの傾向を示した。しかし再現性がなかったため、次のステップとしては断面観察により厚さを直接検証できないか検討し、今回の結果との相関をみる予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究実施にあたり、産業技術総合研究所山崎将嗣氏にはALD成膜サンプルの技術支援いただきました。感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件