【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.14】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0058

利用課題名 / Title

Si系半導体デバイスに関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

エレクトロデバイス/ Electronic device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

芳本 祐樹

所属名 / Affiliation

株式会社KOKUSAI ELECTRIC

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

高橋正紘,前田辰郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

増田賢一,杉山 和義,郭 哲維,赤松 雅洋

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,共同研究/Joint Research

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-011：i線露光装置
AT-018：反応性イオンエッチング装置 (RIE)
AT-023：電子ビーム真空蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 近年の超高度情報化社会において、半導体デバイスは不可欠な存在である。半導体デバイスは、高性能化するにつれて、その構造の複雑化・微細化が日々進んでいる。半導体膜であるSi膜は、この複雑化・微細化に対応できる成膜手法が必要となり、成膜手法によりその特性が変化する。 　我々は、Si膜の特性評価のために、共用設備を用いてSiおよび金属膜の積層パターンをサブμmオーダーで形成したので報告する。

実験 / Experimental

　課題番号JPMXP1222AT0399にて報告したNi/Si積層パターン上に、i線露光装置を用いてフォトレジストパターンを形成し、シリコン酸化膜をウェットエッチングした。さらに、i線露光装置によりリフトオフ用の2層レジストパターンを形成し、Niを電子ビーム蒸着装置により蒸着、アニーリングすることでシリサイド化を行った。その後、同様の手法を用いて、Au/Ti配線パターンを形成した。完成したパターンを光学顕微鏡により観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

　Fig.1aに加工を行ったNi/Si積層パターンの光学顕微鏡像を示す。
　JPMXP1222AT0399の報告においてはSiをウェットエッチングによるパターン消失が確認されたが、本課題においては反応性イオンエッチング装置を用いたドライエッチングを実施で、サブμmオーダーのパターンを形成することができた。 　
　Fig.1bに示した通り本課題にて作製したサブ μmオーダーのパターンは、サンプル内部でのばらつきやサンプル間のばらつきは見られず、i線露光装置、電子ビーム蒸着装置、反応性イオンエッチング装置等における各プロセス処理は安定しているといえる。
　以上のことから、本課題にてサブ μmオーダーのSi膜の特性評価用パターンの均質な形成ができることが明らかになった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1(a) Microscopic image of Ni/Si stacked pattern. Fig.1(b) Microscopic image of Au/Ti/NiSi/Si pattern.

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

なし

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件