【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0030
利用課題名 / Title
新材料デバイス技術
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス,エレクトロデバイス/ Electronic device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,ALD,スパッタリング/ Sputtering,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
桜井 美穂
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
岡田 直也
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
郭 哲維,杉山 和義,山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-006：マスクレス露光装置
AT-023：電子ビーム真空蒸着装置
AT-074：エックス線光電子分光分析装置(XPS)
AT-095：RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）
AT-109：６インチ電子ビーム真空蒸着装置（アールデック）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
遷移金属カルコゲナイド（MX2: M = W, Mo, 等, X = S, Se, Te）は、数原子層の厚さでありながら高いキャリア移動度とバンドギャップを有し、エレクトロニクス材料として有用である。本研究では、NPFの装置群を利用して、WSe2をチャネルに用いたトランジスタを試作した。
実験 / Experimental
NPFのマスクレス露光装置、電子ビーム真空蒸着装置、RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)、６インチ電子ビーム真空蒸着装置（アールデック）を用いて、MX2の上に金属電極を形成し、トランジスタを試作した。さらに、エックス線光電子分光分析装置（XPS）を用いて、金属電極やMX2の結合状態や組成を調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
WSe2チャネルトランジスタにNPFの装置群を利用して、NiやCrを電極材料として形成した（図１）。リソグラフィ工程、リフトオフ工程などを通して、電極とWSe2の膜剥がれ等はなく、良好な密着性を示した。その後、トランジスタの電気的特性を評価し、良好なトランジスタ特性を確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件