利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.11】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0018

利用課題名 / Title

Nb Sputter装置での表面粗さを抑える方法Nb Sputterを行うときの表面粗さを抑える条件

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

Nb Sputter,スパッタリング/ Sputtering,超伝導/ Superconductivity


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

浮田 茂也

所属名 / Affiliation

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先端半導体研究センター  3D集積技術研究チーム

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

増田 賢一

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-025:スパッタ成膜装置(芝浦)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

超電導状態でも接合が上手くいくためにNb スパッタ時の条件 特に真空度と表面粗さの関係の確認を行った

実験 / Experimental

産総研ナノプロセシング施設のAT-025 スパッタ成膜装置(芝浦) を使用しターゲット Nb でスパッタ時の真空度を変更し同一膜厚をつけた場合の表面粗さ抑えるための条件として真空度との関係の確認を行った

結果と考察 / Results and Discussion

このスパッタ装置はRf でプラズマを立ててスパッタを行う装置であるが、8インチスパッタ時の膜厚のばらつきは真空度はが高いほど低くそれとは逆に表面粗さは真空度を下げた方が表面粗さは良い方向に行くようである。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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