【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0047
利用課題名 / Title
Fabrication of nanopore arrays on suspended monolayer molybdnum disulfide
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
露光、描画装置、レジスト塗布,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
徐 騫
所属名 / Affiliation
東京大学工学系研究科機械工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
二硫化モリブデン単層膜の微細孔間距離の研究で、単層膜とバルク構造の比較が目的で、EB描画装置を使って二硫化モリブデン単層膜への加工方法をの相談を行った。具体的には二硫化モリブデン膜がコーティングされたSiNメンブレン基板にレジストを塗布し微細孔を並べて露光を行い、現像後にAr イオンミリングにて二硫化モリブデン層を貫通させるプロセス。まずはARIMとの作業分担について話し合い、サンプルの作製及びEB露光後のAr イオンミリング加工は東大で、サンプルへのレジスト塗布、EB露光及び現像作業はARIMで行うこととなった。EB露光を行う上での問題点はSiNメンブレン上の穴の位置を露光装置上で認識できるかどうかで、この件に関しては実物を露光装置に入れて確認する必要がある。方法としてはSiNメンブレンウィンドウの角にビームを当て反射電子像として検出しウィンドウの角の座標からSiNメンブレン上の穴の位置を特定する。まずはサンプルを準備して露光装置でSiNメンブレンウィンドウの角が反射電子像で認識できるかどうかのテストを行うことが望ましい。またSiNメンブレン基板は3mmｘ3mmと小さいため、そのままでは露光装置にセットできないのでSi基板（15mm×15mm）上にレジストを使って接着する。 具体的なテスト露光案はSiNメンブレン上の穴径は1μmφ、6μmφ、PMMAレジスト膜厚50nm、テスト露光パターンは 40nmφの穴をピッチ 80nmで並べた構造。
実験 / Experimental
技術相談であり、該当なし
結果と考察 / Results and Discussion
技術相談であり、該当なし
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件