【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0046

利用課題名 / Title

集積化フォトニクスデバイスの研究開発

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

光導波路/ Optical waveguide,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,光デバイス/ Optical Device,CVD,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

高浦 則克

所属名 / Affiliation

株式会社KOKUSAI ELECTRIC

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

宮田翔馬

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

西山伸彦,堀川剛

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-001：電子ビーム露光装置
IT-006：走査型電子顕微鏡
IT-013：ICPリアクテブイオンエッチング装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

集積化フォトニクス高性能化に向けて、高い特性再現性を有する低損失導波路の研究開発を行う。

実験 / Experimental

SiN薄膜を用いた光集積デバイスの構造・レイアウトを設計し、ARIM共用装置を用いて試作および評価を行う。

結果と考察 / Results and Discussion

SiN薄膜を用いた導波路デバイスおよび回折格子の構造・レイアウトを新規に設計し、ARIM共用装置の電子ビーム露光装置、ICPリアクテブイオンエッチング装置、及びSiO2プラズマ酸化膜CVD装置を用いてデバイス試作を行った。デバイスの実構造及び光学特性を、ARIM共用装置の走査型電子顕微鏡、及びウェハプローバにより評価し、狙いに近い構造と特性が得られていることを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

回折格子の結合効率スペクトル

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件