【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0037
利用課題名 / Title
小径基板もしくは小片への成膜、加工、測定
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
下房 大悟
所属名 / Affiliation
株式会社ディスコ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
社内実験サンプル作製用にマスクレス露光装置を用いたホトリソグラフィを実施
実験 / Experimental
φ3inchシリコンウェーハにフォトリソを実施した。サンプル数：φ3inchシリコン x 5枚レジストはARIM推奨の物を使用作製したサンプルは社内に持ち帰り後、Siドライエッチングにて所定の深さまで加工を行う
結果と考察 / Results and Discussion
リソ結果はエッジのダレなく良好ARIM推奨のレジストでエッチングレートも問題なく、所定の深さまで問題無くドライエッチングが可能だった。ドライエッチング後のサンプルは他検証の形状基準として使用する
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件