【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0033

利用課題名 / Title

フォトニック・リザバーの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

AIハードウェア,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,フォトニクス/ Photonics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

中川 茂

所属名 / Affiliation

東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-012：リアクテブイオンエッチング装置
IT-003：マスクレス露光装置
IT-008：3連Eガン蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

AIハードウェアを実現するために設計した集積フォトニクスを評価するためのサンプル作製

実験 / Experimental

電流注入する電極を形成するため、マスクレス露光でフォトレジストのマスクを形成、金属蒸着で電極金属を堆積、リフトオフして電極パターンを形成。
電極間絶縁を実現するエッチングを行うため、PECVDでSiO2を堆積、マスクレス露光でパターン形成、RIEでパターニングを行い、エッチング用のSiO2マスクを形成。エッチング後にSiO2マスクをRIEで除去。

結果と考察 / Results and Discussion

電極間絶縁を実現するエッチングのために、SiO2マスクを形成し、そのマスクで2um以上の深さをエッチングできることを確認できた。金属電極を形成するための金属を蒸着し、フォトレジストでリフトオフした。最小2um幅の金属パターンも良好にリフトオフすることができた。評価用サンプルは現在作製継続中。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件