利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0032

利用課題名 / Title

単一フォトン源の作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,量子コンピューター/ Quantum computer,フォトニクス/ Photonics


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

中川 茂

所属名 / Affiliation

東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-003:マスクレス露光装置
IT-008:3連Eガン蒸着装置
IT-012:リアクテブイオンエッチング装置
IT-015:SiO2プラズマCVD 装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

垂直共振器単一フォトン源の実現を目指し、設計した共振器を評価するためにテスト構造を作製

実験 / Experimental

エッチングのマスクとなるSiO2マスクを作製するため、SiO2をPECVDで堆積、マスクレス露光でパターニング、RIEを行いSiO2パターンを形成。エッチング後にSiO2をRIEで除去。
電流注入のための金属電極を作製するため、マスクレス露光でフォトレジストのパターンを形成、金属蒸着で金属薄膜を堆積、リフトオフによって金属電極を形成。

結果と考察 / Results and Discussion

SiO2のパターニングは10um程度の大きさまで良好なパターンが形成された。フォトレジストの残渣もみられなかった。その後のエッチングのテストでもパターニングされたSIO2で良好にエッチングできることを確認できた。金属電極パターニングのテストではリフトオフに使用したフォトレジストが時間が経過していたため想定以上に時間がかかり、一部残渣も見られたので、現在実施中の評価用サンプル作製に向けて新しいフォトレジストを準備。現在、試作継続中。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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