【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0028
利用課題名 / Title
3次元磁気メモリのめっき膜の微細加工
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/ Lithography,スピントロニクス/ Spintronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京工業大学 工学院 電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黄童雙,斎藤裕太,斎藤美紀子,Md. M. Hasan
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-004：マスクレス露光装置
IT-037：クリーンルーム付帯設備一式
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
3次元磁気メモリの磁性柱はめっき技術で作製する必要がある．その書込技術を実証するには，めっきで成膜した磁性柱に対してデバイス加工を施し，スピン注入を実証する必要がある．ARIMを利用して，磁性メッキ膜をホールバー状に加工する．
実験 / Experimental
保護層を成膜した磁性めっき積層膜に対して，レジストを塗布し，マスクレス露光装置によりホール細線状のレジストパターンを形成した．イオンミリング装置により，ホールバー状にエッチングした．さらに電極パッド用のレジストパターンを作製し，真空成膜法で金属層を形成し，リフトオフにより電極パッドを形成した．
結果と考察 / Results and Discussion
顕微鏡観察から所望のホールバー状に加工されたことを確認した．また，異常ホール抵抗が磁化特性と整合するとことから磁化の電気的検出が可能であることを確認した．さらに交流電流に対する異常ホール電圧の第二次高調波成分を詳細に解析した結果，めっき膜に対してスピンが注入できていることを明らかにした．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
-
Md. Mahmudul Hasan, Electrodeposited CoPt multilayered-nanowire for 3D memory device, 2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers), , 1-2(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAGShortPapers58606.2023.10228236
-
Md. Mahmudul Hasan, Preparation and Characterization of High Aspect Ratio Electrodeposited CoPt Multilayered Magnetic Nanowires, 2023 IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG), , 1-5(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAG50591.2023.10265078
-
Tongshuang Huang, Development of Ultra-Thin CoPt Films With Electrodeposition for 3-D Domain Wall Motion Memory, IEEE Transactions on Magnetics, 59, 1-5(2023).
DOI: 10.1109/TMAG.2023.3298911
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- T. Huang, Y. Takamura, M. Saito, M.-M. Hasan, S. Kasai, Y. Sonobe, S. Nakagawa, “Development of ultra-thin CoPt films with electrodeposition for three-dimensional domain wall motion memory,” Intermag 2023, poster, GR-05, Sendai, Japan, May 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Ono, T. Homma, ”3D CoPt Multilayred nanoswires: Preparation, Characterization and Application,” MML, Soul, South Korea, poster, 0327, Seoul, Korea, July 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Homma, “High aspect ratio electrodeposited CoPt multi-layered alloy nanowires for memory application,” 2023 ECSJ Fall Meeting, Oral, S9_1_02, Fukuoka, Sept. 11th, 2023.
- T. Huang, Y. Takamura, S. Isogami, Y. Saito, Md. M. Hasan, M. Saito, S. Kasai, S. Nakagawa, “Second harmonic Hall measurement for CoPt thin film formed on highly oriented Pt layer with electrochemical deposition,” JSAP Fall Meeting, 23p-A201-5, Kumamoto, Sept. 23rd 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura. T. Homma, “Investigation of structural and magnetic properties of electrodeposited CoPt alloy nanowires for 3D magnetic memory application,” The 47th Annual Conf. on MAGNETICS in Japan., Oral, 27aC-3, Osaka, Sept. 27th 2023.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件