【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0007
利用課題名 / Title
GaAs基板を利用した面発光レーザの作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西山 伸彦
所属名 / Affiliation
東京工業大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
I. M. Shafiqul,M. S. Kahn
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大礒義孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-004：マスクレス露光装置
IT-008：3連Eガン蒸着装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-022：化合物半導体光素子用酸化炉
IT-037：クリーンルーム付帯設備一式
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
小型原子時計の実現を目指し、波長780nm付近で発振する面発光レーザの研究開発を行う。
上部ミラーはMEMSであるため、下部ミラーおよび活性層、電流狭窄層のみを化合物半導体で形成する。
実験 / Experimental
これまでに波長1000nm帯の面発光レーザは、実現している。ポイントは、その条件と、波長が短いことによる条件がどの程度異なるかを確認することである。
結果と考察 / Results and Discussion
下記のいくつかのパラメータについて、条件出しを試みた。・GaAsおよびAlGaAs層を含む半導体層のエッチングレート：Cl/CH4系のICPにおいて、波長が短くなったことによる影響はほとんどないことが分かった
・酸化電流狭窄層の酸化レート：酸化装置による酸化レートもほとんど影響がないことが分かった。
以上の条件出しにより、確立したプロセスによって、面発光レーザを作製し、所望の波長での発振を確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件