利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.07.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NR0034

利用課題名 / Title

単結晶Al2O3基板上のVO2薄膜の結晶構造

利用した実施機関 / Support Institute

奈良先端科学技術大学院大学 / NAIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

酸化バナジウム、薄膜、レーザー・アブレーション法,X線回折/ X-ray diffraction,3D積層技術/ 3D lamination technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

服部  賢

所属名 / Affiliation

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学領域物性情報物理学研究室

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

服部 梓

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

片尾 昇平,上久保 順子

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NR-301:X線構造解析装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Al2O3(001)(ブラベー・ミラー指数では(0001))単結晶上にレーザー・アブレーション法で作製したVO2薄膜の結晶性を調査することを目的とした。

実験 / Experimental

Al2O3基板に対する面直方向 00ロッド上の回折プロファイルを2θ-ω測定で、面内成分も含んだ回折プロファイルを逆格子マップで室温で測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

2θ-ω測定結果から、Al2O3(001)基板に作製したVO2薄膜は結晶であり、室温安定相であるVO2 monoclinic (No. 14) 結晶ができており、VO2結晶のb軸(逆格子ユニットのb*軸と平行)が、およそAl2O3(001)結晶基板面に垂直に向く(Al2O3結晶のc軸と平行となる)ことが分かった(およそVO2 020 || Al2O3006)。また逆格子マップ結果から、そのVO2結晶のb軸は、基板垂直c軸方向からほとんど傾いていないことが分かった(完全にVO2 020 || Al2O3006)。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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