【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.03.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1127
利用課題名 / Title
SU-8厚膜構造体によるパリレンC厚膜の剥離
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
光露光(マスクアライナ), SU-8, パリレンC,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
新井 克美
所属名 / Affiliation
キヤノン電子株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
渡辺 茂高
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
水島 彩子,肥後 昭男
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-504:光リソグラフィ装置MA-6
UT-709:パリレンコーター
UT-603:汎用高品位ICPエッチング装置
UT-606:汎用平行平板RIE装置
UT-800:クリーンドラフト潤沢超純水付
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
パリレンC厚膜構造体にSU-8厚膜構造体を積層したが、SU-8の架橋による収縮によってパリレンC厚膜構造体が基板から剥離した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】卓上アッシング装置、光リソグラフィ装置MA-6、汎用高品位ICPエッチング装置、汎用平行平板RIE装置、8インチ汎用スパッタ装置、パリレンコーター、クリーンドラフト潤沢超純水付、形状・膜厚・電気特性評価装置群
【実験方法】利用課題番号22UT1034「パリレンC厚膜構造体の密着性」に示す通り、上記の装置を用いてセラミック基板の表面に厚み25μmのパリレンC厚膜構造体を作製する。次に、パリレンC厚膜構造体の表面を卓上アッシング装置により深さ0.1μmほど除去する。その表面に、日本化薬株式会社製ドライフィルムレジスト「SU-8 3045CF DFR」を圧着ローラーを用いて貼り付ける。1層のレジストの厚みは45μmであり、それを積層することで所望の厚さのSU-8厚膜を作製することができる。光リソグラフィ装置MA-6とクリーンドラフト潤沢超純水付を用いて、 SU-8厚膜に対して露光および現像、ポストベークなどを行い構造体を作製する。Fig.1に示す厚み45μmのSU-8厚膜構造体は正常に作製することができたが、Fig.2に示す厚み225μmの構造体を作製すると、その外周部において下地のパリレンC厚膜が基板から剥離した。
結果と考察 / Results and Discussion
SU-8の膜厚が増えたことでパリレンCとセラミックス基盤が剥離したことから、 SU-8の架橋による収縮量が増加してパリレンCが基板から引き剥がされたと考える。利用課題番号22UT1034「パリレンC厚膜構造体の密着性」に示す通り、本実験ではパリレンCとセラミックス基板の密着性を向上させるため、シランカップリング剤KBM-503(信越化学工業株式会社)を塗布したが、SU-8膜厚構造体を積層するには更なる密着性の改善が必要である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 45μm thick SU-8 structure
Fig. 2 225μm thick SU-8 structure
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
本実験を行うにあたり、様々なご協力を頂きました東京大学 水島彩子様に深く感謝致します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件