【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1122
利用課題名 / Title
試作品のSEM観察
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）次世代バイオマテリアル/Next-generation biomaterials
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,バイオセンサ/ Biosensor,スパッタリング/ Sputtering,超伝導/ Superconductivity
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古賀 拓哉
所属名 / Affiliation
ティーイーアイソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代のデバイス作製を行っているが、構造体が100nm程度の配線パターンの為、東京大学のRegulus 8230を使用させて頂きどのような構造に出来ているか確認を実施。
実験 / Experimental
4インチSiウェハに産総研のスパッタ装置にてAlを成膜して、EB描画露光装置でパターンを描画して、現像後ICPドライエッチング装置でAlエッチングを行いパターン観察を実施。今回のパターンは100nm程度の配線パターンを含んでいる為、加速電圧を1kVに設定してパターンを観察。
結果と考察 / Results and Discussion
今回の実験は、抵抗値を調査するため抵抗値測定部の配線幅を分流していたが、想定よりも配線幅が細くなっていたので、ドライエッチ装置にてAlのエッチングを行った際にサイドエッチが入りすぎていたと推定。エッチング時にCl2ガスを使用しているが、流量を抑えた方が良いと考えられる。SEMの写真(Fig.1)は綺麗に撮れており特に問題はないと考える。Siウェハ上にAlパターンを作製した場合、加速電圧が低すぎるとパターンが見えづらいので加速電圧を上げてパターンを見つけてから加速電圧を下げて観察するとSEMのビームによるダメージも抑えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Siウエハ上に作製したAl配線パターンのSEM写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
特になし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件