【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1103
利用課題名 / Title
ジャイロセンサー開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
PZT,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,センサ/ Sensor,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
行藤 敏克
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSセンサー開発で、圧電PZT膜のドライエッチングが必要となった。2018年にULVAC CE-Sの塩素系ガスを使用して2stepのPZT膜エッチングの条件最適化を実施し、良好な形状のエッチングが可能となった。その後、数回の加工を実施すると1step条件のレジスト選択比の悪化が発生した。PZT膜1step条件の最適化を実施し、良好なレジスト選択比で処理する事が可能となった。選択比の変動を表1に示す。
実験 / Experimental
利用した設備：ULVAC CE-S
Antenna Power、Bias、Pressureの設定、PFC flowの実値を確認をし、レジスト選択比の確認を行い最適条件の確認を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Antenna Power、Bias、Pressureの設定を組み合わせて条件出しを行ったが改善しなかった。
PFC flowを2.0sccm以下に抑える事で当初のエッチングレート、レジスト選択比の点で処理が可能となった。処理条件、PFC flowの変動を表2に示す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 1step条件ならびにレジスト選択比とエッチングレートの変動
表2 エッチング処理条件とPFC flowの変動
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件