【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1102
利用課題名 / Title
無電解Ni/Auめっき後における導体の密着性の劣化原因について
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,電子分光/ Electron spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤島 翔太
所属名 / Affiliation
エレファンテック株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
弊社独自のフレキシブル回路基板製法であるピュアアディティブ法を用いてサンプルにおいて端子部をAuめっきしたところ、条件によって導体の密着性に有意差があることが判明した。SEM-EDXを活用してその原因究明を行った。
実験 / Experimental
端子部のAuめっきについては無電解Ni/Auめっきとした。パートナーであるA～C社でめっきしたサンプルを断面研磨の上、SEM-EDXを用いて各社めっきの出来映えに差が見られないか分析を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
無電解Ni/Auめっき層の元素分析の結果、層に含まれるP濃度に各社で差が見られることが分かった(Fig. 1, 2, 3)。A社は12.4%/wt、B社は13.6%/wt、C社は13.0%/wtだった。一般的にめっきに含まれるP濃度が変わると結晶構造に影響を与えるため被膜特性が変わるとされる。従って、P濃度がめっき被膜中の応力に影響を与えた結果、導体の密着性が変化したと推察した。今後、無電解Ni/Auめっきに含まれるP濃度が導体の密着性に影響与えているか仮説検証を行っていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 AuめっきパートナーA社
Fig.2 AuめっきパートナーB社
Fig.3 AuめっきパートナーC社
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件