利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1101

利用課題名 / Title

シリコンエッチングの最適化

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

シリコン基材料・デバイス,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

菱沼 慶一

所属名 / Affiliation

富士フイルム株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-604:高速シリコン深掘りエッチング装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

高速シリコン深堀エッチング装置(SPTS MUC-21 ASE-Pegasus)を使用したシリコンエッチングにおいて、開口率の高い(~50%)パターンをSPT社提供の既存レシピにてエッチングを実施すると、エッチングレートの面内均一性が+/-20%程度となってしまう。シリコン加工寸法精度は、シリコン構造を用いる各種MEMSデバイス(加速度センサー、ジャイロセンサー、マイクロミラー、マイクロフォン等)の性能(センサー感度、共振周波数など)のバラつきに直結するため、面内均一性の向上が必須であり、レシピ変更による改善を検討した。

実験 / Experimental

エッチングレシピサイクル(Depo→Etch1→Etch2)のEtch2 ステップのPressureを変え、エッチングレートの面内均一性と全体のエッチングレートに対する変化を調査した。実験には、60mm□シリコン基板を使用し、6インチシリコンウェハにグリースにて貼り付け実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

Etch2ステップのPressureを1~20Paの範囲で変更した時のエッチングレートと均一性の結果を示す(Fig.1)。本実験で用いたレシピは、Table1の通りである。Etch2のPressureを既存レシピの20Paから3Paに変更することにより、エッチングレートの面内均一性は+/-20%から+/-4%と改善された。一方で、エッチングレートは面内均一性とトレードオフの関係にあり、16μm/minから、8μm/minへと半減した。今後は、高い均一性とエッチングレート(>10μm)を両立するエッチングレシピをGas Flow, RF Power, Bias Power等を調整し、検討していく。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 エッチングレートと面内均一性 結果



Table1 エッチングレシピ


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

三田吉郎教授 に深く感謝いたします


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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