【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1100
利用課題名 / Title
テラヘルツ素子の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
テラヘルツ波、パルスレーザー、,高周波デバイス/ High frequency device,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
島野 亮
所属名 / Affiliation
東京大学低温科学研究センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
関口文哉
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-505：レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-711：LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
UT-509：枚葉式自動リフトオフ装置
UT-902：マニュアルウエッジボンダ―
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
パルスレーザー励起によって動作するテラヘルツ発生・検出素子の開発を行うことを目的とし、半導体基板上に金属微細構造パターンの形成を行った。
実験 / Experimental
半導体基板(シリコン)を洗浄し、フォトリソグラフィー装置を用いてマイクロメートルスケールの構造パターンを描写、その後スパッタ、リフトオフにより金属(金)微細構造を作製した(図1)。また、必要に応じてワイヤボンダを用いて素子と自前のサンプルとの間の配線を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
得られた素子について、半導体基板部分をパルス光励起することで、金属微細構造上にテラヘルツ波を発生し、またこれを検出可能であることを確認した。具体的な性能は金属構造の詳細に依存するため、今後は金属線の形状などを変えながら、さらに素子を試作・検討することを予定している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 作製した金属導波路の写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件