【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1092
利用課題名 / Title
SnO2薄膜を利用したガスセンサの作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ガスセンサ,センサ/ Sensor,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中山 雄樹
所属名 / Affiliation
東京大学新領域創成科学研究科人間環境学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
高木 謙斗（東京大学大学院新領域創成科学研究科）,米谷 玲皇（東京大学大学院新領域創成科学研究科）,割澤 伸一（東京大学大学院新領域創成科学研究科）
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ヘルスケア等への応用を目的として，SnO2薄膜を利用したガスセンサを作製した．なお，ガスセンサは，SnO2薄膜の感ガス部と，Pt/Tiの電極からなるデバイスである．主に，ARIM共用設備である高密度汎用スパッタリング装置（CFS-4ES）を使用し、作製を行った．
実験 / Experimental
デバイスは，SiO2(膜厚：280 nm)/Si基板をベースに作製した．作製プロセスは次の通りである．はじめに，電子ビームリソグラフィーにより，SiO2/Si基板上にガスセンサ構造をパターニングした．続いて，ARIM共用設備である高密度汎用スパッタリング装置（CFS-4ES）を使用し，SnO2薄膜を製膜，リフトオフを行うことにより，SnO2薄膜からなるガスセンサパターンを作製した．その後，電子ビームリソグラフィー，スパッタリング，リフトオフプロセスにより，Pt/Ti電極をSnO2薄膜上に作製し，ガスセンサを作製した．
結果と考察 / Results and Discussion
作製したSnO2薄膜からなるガスセンサデバイスの光学顕微鏡写真を，Fig. 1に示す．対向配置されたPt/Ti電極の間に，感ガス部となるSnO2薄膜が配置された構造を有するガスセンサデバイスである．このように，感ガス部としてSnO2薄膜を有するガスセンサデバイスの作製を達成した．多様なガスのセンシングへ応用が期待されるデバイスである．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SnO2 thin film-based gas sensor
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件