【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1089

利用課題名 / Title

半導体基板の加工性検証

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,リソグラフィ/ Lithography,電子線リソグラフィ/ EB lithography,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,リソグラフィ/ Lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

鈴木 敦志

所属名 / Affiliation

E&E evolution㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

西村政哉,石本聖治

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

藤原誠

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503：超高速大面積電子線描画装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

弊社で取り扱う様々な半導体基板の微細加工に対する加工性の検証をおこなった。
サブミクロンスケールの高アスペクト加工を目的として、各基板のマスク構成（ハードマスク・レジスト種）を変化させながら検証を行っている。
今回は導電膜及び濡れ性向上を目的に極薄膜のNiをレジスト塗布前に成膜し、露光されるレジストパターンの変化について検討を行った。

実験 / Experimental

InP基板を用いて、レジスト塗布前にNiを5nm成膜した仕様と成膜しない仕様の計2水準を準備した。
レジストは化学増幅型のネガ型レジストCAN038（塗布厚t:200nm)を使用し、露光量は45,50,55μC/cm²とした。
パターンはpitch:600nm、露光幅:300nmのL&Sパターンで実施している。
Ni塗布の有無でレジストの断面形状がどの様に変化するかを検証した。

結果と考察 / Results and Discussion

Niを導入することによって相対的にレジストのテーパーがより急峻になることを確認できた。
dose量は55μC/cm²が最も設計値に近い描画結果を得られている。
また、導電膜aqua saveを用いずともチャージによる不具合なしにパターン形成をすることが出来た。
Niを塗布することによる濡れ性の改善が要因であると推測される。
追って接触角測定を実施予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1.Ni5nmを下地にして電子線露光を実施したInP基板のレジストパターン形状

図2.Niを用いずに電子線露光を実施したInP基板のレジストパターン形状

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件