【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1067
利用課題名 / Title
誘電体ナノメンブレン作製技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,光デバイス/ Optical Device,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
小西 邦昭
所属名 / Affiliation
東京大学大学院理学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
袴田 祐生
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-500:高速大面積電子線描画装置
UT-608:汎用NLDエッチング装置
UT-505:レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-604:高速シリコン深掘りエッチング装置
UT-855:高精細電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
自立誘電体薄膜(ナノメンブレン)は、光を閉じ込めて操作する新しい系として近年注目されている。我々はこれまでに、γ-Al2O3やSiO2を用いてフォトニック構造を有するナノメンブレンを作製する技術の開発に成功してきたが、より高い屈折率を有するSiN薄膜にフォトニック構造を作製し、メンブレン化するための手法の開発を進めた。
実験 / Experimental
SiN薄膜に対して高いアスペクト比のエッチングを行うために、汎用NLDエッチング装置 を用いたSiNのエッチングを試みた。
結果と考察 / Results and Discussion
厚さ200nmのSiN薄膜に対して、汎用NLDエッチング装置 を用いて60秒間のドライエッチングを行った結果の断面SEM像を図に示す。比較的垂直性の高いエッチングが行えていることがわかる。今後は、この手法を用いてSiNにフォトニック構造を作製し、メンブレン化の手法開発を進めていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図 汎用NLD装置を用いたSiNドライエッチングの結果
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件