【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1036
利用課題名 / Title
レジスト材料の感度評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,電子線リソグラフィ/ EB lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
永﨑 秀雄
所属名 / Affiliation
富士フイルム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
高橋 孝太郎,吉野 文博,本山 寛大,竹田 和生,田口 大祐,市川 崇行
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
藤原
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体製造に用いられる化学増幅型レジスト材料（以下、レジストと略す）に求められる性能は、感度、解像性能、露光余裕度、線幅荒さ、面内線幅均一性など多岐に渡る。本課題を通じ、超高速大面積電子線描画装置（UT-503）用い、評価に一定面積以上の描画が必要な感度（レジストコントラストカーブ）性能評価を行った。結果の比較考察対象として、弊社所有のEB描画装置でも同様の評価を実施した。
実験 / Experimental
＜サンプル作成＞富士フイルム株式会社（以下、弊社と略す）において、密着補助能を有する下地膜上に更にEBに感光するレジスト材料を膜厚50nmで塗布した6インチウエハー基板を準備した。次に、東京大学所有の超高速大面積電子線描画装置(設備ID:UT-503)（VSB描画方式）を用いて、200um角のパターンをX方向に1mmピッチで10点、Y方向に1mmピッチで11点（計110点）をEB照射量の所定範囲で可変描画した。描画後基板を所定条件で加熱ベークした後、弊社に持ち帰り2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像し、純水洗浄、回転乾燥により、レジストコントラストカーブ評価用の基板（VSB基板）を作製した。同様に弊社所有のPB描画方式のEB描画装置でも、同じレジスト材料でコントラストカーブ評価用基板（PB基板）を作製した。
＜サンプル評価＞得られた2枚の基板の200um角パターン部分を光学式膜厚計で膜厚測定し、VSB基板とPB基板のレジストコントラストカーブを作成した（Fig.1）。
結果と考察 / Results and Discussion
＜結果と考察＞
①描画時間：VSB方式での描画時間が約16分（110点描画）だったのに対し、PB方式では55時間（28点描画）かかった。VSB方式は200倍以上効率的にサンプル作成できることを確認した。
②レジストコントラストカーブ：Fig1より、どちらの描画方式でもレジストコントラストカーブが取得できることを確認した。また、レジストに対して過剰なEB照射量領域において、コントラスト反転が起きることが分かった。描画方式によってコントラスト反転挙動が違い、VSB方式はPB描画方式よりもコントラスト反転が起きにくいことを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Resist contrast curves
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
評価にあたり、ご支援頂いた東京大学ARIM関係者の皆様（特に藤原様）に深く感謝する 。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件