【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23WS0311
利用課題名 / Title
ダイヤモンドMOSFETの耐圧耐熱特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,光学顕微鏡/ Optical microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
劉 江偉
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ワイドバンドギャップ半導体ダイヤモンドは大きなバンドギャップエネルギー、高いキャリア移動度および大きな破壊電界を持つため、高温、高出力、高周波、放射線や宇宙線下の過酷環境下でも安定に動作する電流スイッチおよび集積回路への応用が大きく期待されている。今回、ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴの高耐圧と耐熱の特性を測定するため高耐圧高耐熱デバイス測定装置（アジレント社製/B1505A）を用いて計測を行った。
実験 / Experimental
ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴの高耐熱の特性（室温から４００度まで）を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
我々は、ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を作製した。常温から400℃までの動作温度における電気的特性を調べた。測定温度の上昇に伴い、MOSFETの出力電流は大きく増加した。添付ファイルの図1をご参照ください。 ホウ素ドープダイヤモンドMOSFETは、室温と400℃で良好な動作が見られた。400℃でのMOSFETの出力電流は、常温時の約40倍である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ ホウ素ドープダイヤモンドMOSFETの出力電流（a)常温、(b)400℃
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件