【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23WS0195
利用課題名 / Title
電子線グラフト重合法による親水性微細加工及び傾斜機能を施したPEFC用電解質膜の創製並びに表面平滑化に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,メソポーラス材料/ Mesoporous material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
茅 利典
所属名 / Affiliation
早稲田大学 先進理工学研究科 共同原子力専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
野崎義人,加藤篤
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
WS-009： Deep-RIE装置
WS-016：レーザー直接描画装置
WS-008：CCP-RIE装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
スチレンの電子線グラフト重合を行う際に電子線を照射する部位を限定し部分的にスチレンを重合するために使用する無数の穴の空いたSiマスクを作成すること。
実験 / Experimental
まず、SiO2付400 µm厚φ100 mmのSi基板にポジ型フォトレジストを塗布し、50 µmの格子状に転写露光する。次に、BHFを用いてSiO2をエッチングする。次に、Deep-RIE装置を用いてフォトレジストとSiO2をマスクにSiを貫通エッチングすることで50 µmの格子状の穴を有するSiマスクを作製した。Fig. 1に作製したSiマスクの顕微鏡写真を示す。尚、本画像は反射光と透過光を同時点灯させて撮影した画像である。Siに約50 µm四方の貫通穴が作製されていることが確認できた。最後にCCP-RIE装置による酸素プラズマとレジスト剥離液によってフォトレジストを剥離させて、Siマスクを完成させた。
結果と考察 / Results and Discussion
作製したSiマスクを用いて電子線を照射し、スチレンをグラフト重合したところ照射部位にのみスチレンが重合されていることが確認された。これにより今回作製したSiマスクで電子線の照射部位を限定できていることが確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Microscope image of Silicon mask after through etching process.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
レーザー直接描画装置の使用方法についてご教授いただいた加藤篤様に深謝致します。また、野崎義人様には本実験の手順の作成やBHFのエッチング、Deep-RIEのエッチングを実施していただきました。ここに深謝の意を表します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件