【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22HK9004

利用課題名 / Title

ALD成膜テストデータの取得 (NPF ALDデータベースシステムとの連携)

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,原子薄膜/ Atomic thin film,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

松尾 保孝

所属名 / Affiliation

北海道大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

中村圭佑,佐々木仁,遠堂敬史

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-616：原子層堆積装置
HK-617：原子層堆積装置（粉末対応型）
HK-618：プラズマ原子層堆積装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本学で所有している原子層堆積装置(ALD)について、標準的なプロセスレシピ集の作製を目的とし、様々なプリカーサーを用いてテストデータの取得を行った。

実験 / Experimental

オゾン発生器搭載のALD(HK-616)、ピコフロー搭載のALD(HK-617)、プラズマ搭載のALD(HK-618)の3機種を使用し、成膜を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

各種酸化剤でのAl2O3成膜(O2プラズマ、オゾン、水) 、SiO2成膜の温度依存性(O2プラズマ条件) 、TiN成膜のGrowth Rate等を求めることができた。得られたデータはNPF ALDデータベースシステムへ登録し、標準的なプロセスレシピ集を構築することができた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件