【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22IT0023
利用課題名 / Title
波長可変レーザのための下部面発光レーザ構造の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
面発光レーザ
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西山 伸彦
所属名 / Affiliation
東京工業大学 工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
Mohammed S. Khan,Changdae Keum
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
西山 伸彦
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-004：マスクレス露光装置
IT-005：コンタクト光学露光装置
IT-008：3連Eガン蒸着装置
IT-012：リアクテブイオンエッチング装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光コヒーレントトモグラフィ（OCT）は、患者の負担が少なく体の内部を観察できる機器として期待されている。これには、広い波長可変帯域を有する波長可変レーザが必要であり、特に本質的に縦発振モードが単一となる面発光レーザがふさわしい。そのため、1060nm帯の面発光レーザにおけるIII-V族半導体部を形成した。
実験 / Experimental
GaAs基板上に下部半導体DBRと活性層をエピタキシャル成長したと基板を用意し、それを加工した。まず、作製するための露光装置としてIT-004, IT-005、加工装置としてIT-012, IT-015, IT-022, IT-024, IT-030を利用して、パターン形成、メサ形成、酸化狭窄形成、電極形成を行った。なお、その後MEMSミラーと接合するが、それらは、他の機関装置によって加工が行われているため、ここでは説明を省略する。
結果と考察 / Results and Discussion
メサ形成した後、水蒸気雰囲気中で酸化狭窄を行うが、ダミー基板で条件出しを行った後、本番基板を利用して酸化の際は、in-situの顕微鏡による観測により、リアルタイムで、酸化状態が観測できるため、所望のサイズに収めることができた。その後の電極形成なども確立したプロセスシーケンスによって、問題なく加工可能であることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件