【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KT0036

利用課題名 / Title

電子デバイスにおける薄膜層のモルフォロジーとデバイス特性に関する研究/開発

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

STEM,EDS,電子顕微鏡/Electron microscopy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

田中 壮太郎

所属名 / Affiliation

シャープディスプレイテクノロジー株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

清村 勤

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-403：モノクロメータ搭載低加速原子分解能分析電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ディスプレイデバイスで発生した異物の構成元素を調査し、不良原因の特定に繋がる有益な情報を得た。

実験 / Experimental

当社のFIB装置にて薄片加工した断面試料を貴学のJEM-ARM200F（200kV-STEM-EDS）にて分析した。

結果と考察 / Results and Discussion

200kV-STEM-EDS分析の結果、3～4keV付近で重なるピークを24～25keV付近で見分けることに成功し、異物の構成元素が判明した（図1）。今回の有益なデータはデバイスの信頼性向上に大きく寄与するものである。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　異物のHAADF-STEM像、EDSスペクトル

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

京大化研特定研究員の清村勤氏に技術補助していただき、ここに感謝の意を表します。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件