【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT0036
利用課題名 / Title
電子デバイスにおける薄膜層のモルフォロジーとデバイス特性に関する研究/開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
STEM,EDS,電子顕微鏡/Electron microscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田中 壮太郎
所属名 / Affiliation
シャープディスプレイテクノロジー株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
清村 勤
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-403：モノクロメータ搭載低加速原子分解能分析電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ディスプレイデバイスで発生した異物の構成元素を調査し、不良原因の特定に繋がる有益な情報を得た。
実験 / Experimental
当社のFIB装置にて薄片加工した断面試料を貴学のJEM-ARM200F（200kV-STEM-EDS）にて分析した。
結果と考察 / Results and Discussion
200kV-STEM-EDS分析の結果、3～4keV付近で重なるピークを24～25keV付近で見分けることに成功し、異物の構成元素が判明した（図1）。今回の有益なデータはデバイスの信頼性向上に大きく寄与するものである。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 異物のHAADF-STEM像、EDSスペクトル
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
京大化研特定研究員の清村勤氏に技術補助していただき、ここに感謝の意を表します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件