【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1296
利用課題名 / Title
半導体基板上の微細構造の製作
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)その他/Others(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
形状・形態観察、切削,ナノサイエンス,電子顕微鏡/Electron microscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
高田 正基
所属名 / Affiliation
LG Japan Lab 株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-301:超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
KT-218:レーザダイシング装置
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
微細な構造が基板上に集積したデバイスを開発し ている。そのデバイスでは、半導体基板上に電極膜の パターンを形成する必要がある。本課題では、このパ ターンの形状確認および評価のための基板のダイシ ングを行った。良好な構造が形成されていることを確 認でき、またパターンの破壊や汚染もなくダイシング することに成功した。
実験 / Experimental
自社で製作した電極パターンが形成されたシリコン基板を持ち込み、SEM により形状を観察した。最小のパターンサイズが 10μm 程度であり、ゴミなど微小な付着物の有無も確認したいため、高い分解能で観察が可能な超高分解能電解放出型 SEM を使用した。また、観察したパターン付き基板の小片への分割をダイシングによって行った。基板上のパターンへの汚染や破壊を懸念して、レーザーダイシング装置を活用した。30mm × 40mm 程度のサイズの基板を6mm × 10mm の小片にダイシングした。
結果と考察 / Results and Discussion
基板上の電極パターンをSEM観察した。パターン構造は幅 10um のラインが間隔10um で繰り返されたライン&スペースパターンである。電極の膜厚は 500nm である。明るく見えるラインが電極で、やや黒い箇所が基板に相当する。電極は明瞭な直線構造で観察され、エッジに欠損はなかった。また明らかな付着物なども確認されなかった。良好なパターン電極が形成されていることがわかった。レーザーダイシングも問題なく成功した。希望のサイズの 6mm × 10mm に切断でき、パターンの欠けやゴミの付着なども発生せず、引き続き使用可能なチップを切り出すことができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
社内規定により、Webへのファイルのアップロードが禁止されているため、図の表示は割愛する。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件