【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1236
利用課題名 / Title
大面積のメタマテリアルの作製
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
メタマテリアル,メタ表面,メタレンズ,大面積電子線描画,リソグラフィ/Lithography,EB,ナノフォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,フォトニクス/ Photonics,3D積層技術/ 3D lamination technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Le Hac Huong Thu
所属名 / Affiliation
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
海津利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、微細加工により、メタマテリアルと呼ばれる光に対して自然界の物質には無い振る舞いをする人工的な光学物質を作製することを目的とする。具体的には、高速高精度電子ビーム描画装置を用いて、100nm程度のレジストパターンを電子ビーム描画法で加工し、その上に金属薄膜成膜及びリフトオフ法で金属微細構造を作製する。特に光学特性評価には10 mm角程度の大面積の試料が必須であるため、大面積超高速電子線描画装置F7000S-KYT01を利用した。
実験 / Experimental
マーカーとマイクロメートルスケールのAl金属パターン（下地パターン）が予め作製されたΦ3−４インチのシリコンウェハー上に、希釈した電子線描画レジストZEP-520A (日本ゼオン)を塗布し、厚み150 nmレジスト薄膜を形成した。その上に、レジスト残り幅150 nmとスペース150 nmのラインアンドスペースパターンを描画した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1(a)には、Φ3インチウェハー上に作製した9.0 mm角の下地Al金属パターン(５箇所)の写真を示した。この試料を用いて電子線描画を行なった。現像後のラインアンドスペースのレジストパターンは走査電子顕微鏡 (SEM)で確認したところ、Fig.1(b)に示したように、レジスト幅の149.9 nmとスペースの149.1 nmのパターンが得られ、設計したパターンを高精度に作製することができた。描画時間は２時間程度であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig 1. (a) Photo of 3 inch-wafer sample with Al microstructures fabricated in advance.
Fig 1. (b) SEM image of resist patterns after electron beam lithography and developing
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件