【公開日：2024.09.03】【最終更新日：2024.06.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22TU0211

利用課題名 / Title

単原子長ゲートトランジスタの作成

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

デバイス・センサー関連材料, シリコン基材料・デバイス, 半導体微細構造, 単原子長ゲート,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

杉野 秀明

所属名 / Affiliation

東北大学　電気通信研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

早坂浩二

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-503：超高分解能分析電子顕微鏡
TU-508：集束イオンビーム加工装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

極限まで短縮化されたゲートを有する超高周波トランジスタの研究開発を進めている。本研究においては、そのプロセス最適化を行うために、断面TEMにより単原子長ゲート構造の観察を行った。

実験 / Experimental

FEI Quanta 3Dを用いてTEM試料を作製し、JEM-2100PlusおよびFEI TItan G2 Probe correctorを用いて観察、EDSマッピング分析を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

断面TEM観察およびEDSマッピング分析により、所望の単原子長ゲート構造が作製されていることが明らかとなった。ただし、加工断面処理において改善の余地があることが判明した。今後、プロセス最適化を図ることで、最適な単原子長ゲート構造のプロセス技術を創出する所存である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・JST未来社会創造事業　「2D材料CMOS材料・デバイス集積化技術の開発」

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件