【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1212
利用課題名 / Title
グラフェン付きウエハのダイシング
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
グラフェン, ダイシング,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤田 浩己
所属名 / Affiliation
旭化成エレクトロニクス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
太田進也
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
落合幸徳,水島彩子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
グラフェンの乗った熱酸化膜つきシリコン基板を個片化するため東京大学のステルスダイサーを利用した。
実験 / Experimental
2種類(A,B)の熱酸化膜付きSiウエハ上にグラフェンが乗った試料について、ステルスダイサーを用いて個片化を試みた。ウエハの公称特性はTable.1に記載。試料部出力パワーは約1.2Wであった。
結果と考察 / Results and Discussion
もともとSi基板のダイシングを想定した装置であるため、A,B共に熱酸化膜がついていることと、Aに関しては一般的なSi基板よりも抵抗率が低いことからステルスダイサーによるダイシングができない懸念があったものの、結果としてA,B両方とも指定したレシピ通り個片化に成功した。顕微鏡観察(Fig.1参照)の結果、切断端から10μｍ以内にグラフェン膜が残っていることが確認できたため、グラフェン付きウエハのダイシングにステルスダイサーが使用可能であると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 切断後試料の光学顕微鏡像
Tab.1 ウエハ公称値
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
技術相談および技術指導として多大なサポートを賜りました東京大学武田先端知スーパ ークリーンルーム微細加工拠点の落合幸徳様、水島彩子様に感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件