【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1327
利用課題名 / Title
スパッタリング法を用いて作製した薄膜の構造解析および組成分析
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
成膜・膜堆積, スパッタ, 膜構造,電子顕微鏡/Electron microscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 康仁
所属名 / Affiliation
京都大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黒島考平,池田一郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
スパッタリング法によって作製する薄膜に関して、薄膜の性質に影響を与えるパラメーターは多岐にわたる。薄膜の微細構造及び組成を調べるため、京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の設備を利用した。今回はスパッタプロセス前の到達圧力による薄膜構造への影響を確認するために、到達圧力のみ変えた同条件で成膜したサンプルの観察を行った。
実験 / Experimental
直流スパッタリング法により、表１の成膜条件でTiを成膜した4インチSiウエハを□20mmにへき開し、超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡を用いて、薄膜表面の観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
到達圧力を変えて成膜したTi薄膜の超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡による観察(図1)では、到達圧力を変えて成膜した2つのサンプルに薄膜構造の明確な違いは見られなかった。薄膜の特性の違いは確認されていることから、特性への影響因子を調査するためには、密度や組成など定量的な分析を行う必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1. 成膜条件
図1. SEM画像. (a) 到達圧力 5.0x10-4 Pa以下、(b) 到達圧力 1.0x10-4 Pa以下.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件