【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22IT0007
利用課題名 / Title
小径基板もしくは小片への成膜、加工、測定
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CVD, SiO2,
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
廣瀬 美幸
所属名 / Affiliation
株式会社ディスコ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
寺西俊輔
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体配線層には銅と酸化膜が使われる。それらの密着性を評価するためのサンプルを作製することを目的に銅膜の上に酸化膜を成膜した。
実験 / Experimental
PD100STを用い、50x50mm Cu成膜Siクーポン5枚上にTEOS膜を成膜した。 レシピ３（成膜レート42.9nm/min）の条件を用いた。条件は表１の通り。
結果と考察 / Results and Discussion
Sample1を成膜したところ、図１のようにサンプル全体に膜剥がれが見られた。膜の応力が高いのではないかと考え、成膜時間を半分にしたところ、剥がれが改善された。また、表面の観察から、Cu表面が有機残渣で汚染されている可能性があったので、成膜前の温度安定待ち時間を60sから300sにしたところ剥がれの改善が見られた。有機残渣は酸化抑制のためのUVテープの剥離時のわずかな糊残りではないかと考えられる。 次回以降はCu表面をテープで保護せずにサンプル作製すべきと考える。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表１ 成膜条件
図１ 成膜後の表面写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
オペトレをM2の学生の能勢さんに実施いただきました。修論が佳境を迎える中、親切にご指導いただきましてどうもありがとうございました。ご就職してからの益々のご活躍を期待しております！
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件