【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1128
利用課題名 / Title
微細穴構造の製造技術
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
グラッシーカーボン基板,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,3D積層技術/ 3D lamination technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
國定 照房
所属名 / Affiliation
株式会社タムロン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年、製品への機能性付与を目的として、物体表面に微細構造を形成する技術の開発が 盛んに行われている。ドライエッチング時にエッチング底面や側壁を平滑にエッチングすることは、所望の機能性を得るために重要である。我々は、グラッシーカーボン(GC)のドライエッチングにおいて、エッチング導入ガスの違いにより、エッチング側壁の粗さがどのように変化するか検討した。
実験 / Experimental
洗浄したGC基板に対し、Al膜を400nmスパッタ成膜した。次に、Al膜上にｉ線レジストを塗布し、露光装置にて、露光、現像することより、ピッチ3μm、ホール径2μmの微細穴パターンを形成した。これを磁気中性線放電ドライエッチング装置で、Cl系ガスでAl膜のドライエッチングを行った（Alマスクの形成）。その後、表面のレジストを除去し、さらにドライエッチング装置にてGC基板のエッチングを行った。このときのエッチングガスはO2とSF6の混合ガスとO2とSF6の混合ガスにArを10sccm添加したものの2種類で、エッチング時間は540ｓとした。これをSEMで傾斜観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
O2とSF6の混合ガスで加工した際のＳＥＭ像をFig.1に、O2とSF6の混合ガスにArを添加したもので加工した際のＳＥＭ像をFig.2に示した。どちらも最表層にはAｌ膜が確認され、壁面には針状の面荒れが観察できる。このとき両者で面荒れの量に大きな違いは確認できなかった。エッチング中のArガス添加により、Arプラズマによる物理エッチングで面荒れ部がが除去されることを予想したが、この効果は小さいものと考える。今回の結果を元に、さらにエッチング面の平滑化を行っていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Ar添加無しでエッチングした際の構造体SEM像
Fig.2 Ar添加しエッチングした際の構造体SEM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件