【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1065
利用課題名 / Title
スパッタリング法を用いて作製した薄膜の構造解析および組成分析
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
成膜・膜堆積, スパッタ, 膜構造,電子顕微鏡/Electron microscopy,電子顕微鏡/Electron microscopy,スパッタリング/Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 康仁
所属名 / Affiliation
京都大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黒島考平,池田一郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
スパッタリング法によって作製する薄膜に関して、薄膜の性質に影響を与えるパラメーターは多岐にわたる。薄膜の微細構造および組成を調べるため、京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の設備を利用した。今回はターゲットの形状による薄膜構造への影響を確認するために、円形ターゲット及び矩形ターゲットを用いて同等の成膜条件で成膜したサンプルの観察を行った。
実験 / Experimental
直流スパッタリング法により、表1の成膜条件でTiを成膜した4インチSiウエハを□20mmにへき開し、超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡を用いて、薄膜表面の観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
円形ターゲット及び矩形ターゲットを用いて成膜したTi薄膜の超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡による観察により、矩形ターゲットによる薄膜の粒径が円形ターゲットに比べて大きいことが分かった。これは成膜中の基板温度による影響と考えられる。円形ターゲットでの成膜ではプラズマによる基板温度の上昇は100℃以下と想定されるが、矩形ターゲットでの成膜では基板温度は200℃以上となっていることを確認している。基板温度の上昇によりスパッタ粒子の基板上でのマイグレーションが促進され、粒径が増大したと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1. 成膜条件
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件