【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1057
利用課題名 / Title
ミストCVD法による岩塩構造ワイドバンドギャップ半導体の物性評価
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ワイドギャップ半導体,酸化物半導体,X線回折/X-ray diffraction,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
池之上 卓己
所属名 / Affiliation
京都大学 大学院エネルギー科学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
高橋英樹
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-310：X線回折装置
KT-332：触針式段差計（CR）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高耐圧や低損失のデバイスが実現可能なため、ワイドギャップな半導体に注目が集まっている。なかでも酸化物半導体は、酸素が不純物とならないために、大気圧下での成膜が可能であり、次世代の半導体材料として期待されている。本研究課題では、ミストCVD法で作製した岩塩構造ワイドバンドギャップ半導体の物性評価を行う。
実験 / Experimental
ミストCVD法を用いて、MgO基板上にNiO薄膜をエピタキシャル成長させた。また、LiをドーピングしたNiO薄膜も併せて成長した。得られた薄膜について、XRDによる構造解析を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
X線回折 (XRD) 装置を利用し、MgO基板上にミストCVD法でエピタキシャル成長させたNiOの評価を行った。MgO (001) 基板上にNiO (001) が成長したことが明らかとなった。また、Liをドーピングすることにより、Liの濃度に応じてNiOの格子定数が減少することがわかった。
これらのエピタキシャルNiO薄膜の逆格子マップを測定した。膜厚がおおよそ100nm以下の薄膜ではコヒーレントに成長し歪んでいるが、膜厚が大きくなるにつれ、NiO薄膜が格子緩和している様子が観察された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究課題の一部は科研費・基盤研究C（20K04580）の助成を受けたものです。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件