【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1204
利用課題名 / Title
次世代フォトレジストの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography,リソグラフィ/Lithography,放射光/Synchrotron radiation,EB,EB,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
久保 慧輔
所属名 / Affiliation
東京応化工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
木村 謙太
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
当社では次世代のフォトレジスト開発を実施している。近年、半導体の微細化に伴い、フォトレジストへの要求特性は高度化している。要求特性の1つである解像性を評価する上で、高解像の露光装置を用いる必要がある。今回、次世代のフォトレジスト開発を目指し、東京大学武田クリーンルームの設備を利用して新たに設計したフォトレジストの解像性を検証した。
実験 / Experimental
Si基板上に塗布したレジストに超高速大面積電子線描画装置（UT-503）を用いて露光評価を行った。露光評価は、2種の露光フォーマットを用いて実施された。1種目はコントラストカーブ評価用に8inch面内に7.5mm×7.5mmの露光部を25shot露光するフォーマット。2種目はパターニング評価用に50nmLSを49shot露光するフォーマット。パターニング後の塗膜を任意の現像液で現像する事で、現像後のパターンを断面SEM(自社保有装置)にて観察し、電子線描画における像形成の可否を確認した。なお、パターンの線幅やDose、step数は任意で設定する事ができる。
結果と考察 / Results and Discussion
超高速大面積電子線描画装置（UT-503）を用いて露光した、コントラストカーブ用の基板を膜厚測定装置にて解析。感光性を示す露光量及びその際の膜厚変動量を測定する事ができた。また、50nmLSパターニング形成を行った現像後のパターンを断面SEMにて観察し、50nmのパターン形成を確認する事ができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件