【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT1201
利用課題名 / Title
ウェラブエルデバイス向け伸縮性電極の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス/ MEMS device,IoTセンサ/ IoT sensor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山田 駿介
所属名 / Affiliation
東北大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本申請では、ウェラブルデバイス用伸縮性電極を、レーザー加工装置を用いて加工する。伸縮性電極は、主に微細加工装置を、例えばスパッタや蒸着装置を用いて作製することが多い。しかしながら、薄膜は厚みが数µｍ程度であり、容易に破断するため機械的応力が印加されるウェラブルデバイス用途では、耐久性が充分であるとはいえない。そこで、東大微細加工プラットフォームの「UVプリント基板加工装置 ProtoLaser U4」利用することで、任意の形状をもつ伸縮性電極を作製し、その機械特性、電気化学特性を評価することで、ウェラブルデバイスへの応用を検討する。
実験 / Experimental
LPKF U4を用いて、厚み10 µmのMo箔をカットした。
結果と考察 / Results and Discussion
LPKF U4を用いて、厚み10 µmのMo箔を問題なく加工できた。図1に示すように、Mo箔に熱剥離シートを貼り付けカットすることで、加工後に熱を印加して剥離させCAD図面通りのパターンを作製できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 レーザーカットしたMo箔
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件