利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1199

利用課題名 / Title

金ナノ構造周期配列の作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

リフトオフ、赤外増強吸収,リソグラフィ/Lithography,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,EB


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

島田 透

所属名 / Affiliation

弘前大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

澤村智紀,藤原 誠,水島彩子

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置
UT-700:4インチ高真空EB蒸着装置
UT-506:枚葉式ZEP520自動現像装置
UT-900:ステルスダイサー
UT-800:クリーンドラフト潤沢超純水付


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

赤外吸収の増強メカニズムを検討するための増強基板を作製することを目的に、金ナノ構造の周期配列の作成に取り組んだ。

実験 / Experimental

4インチのシリコン丸ウェハ基板にスピンコーターでレジスト(ZEP-520A-7)を塗布し、電子線描画装置を用いて大面積描画(16 mm×16 mm)を行った。描画後に現像を行い、現像されたレジストパターンがついたシリコンウェハに対し、高真空EB蒸着装置を用いて金の蒸着を行った。金蒸着を行った基板を剥離液に浸し、レジストを除き、金ナノ構造の周期配列を作製した。その後、ステルスダイサーを用いて切断し試料片を得た。

結果と考察 / Results and Discussion

作製した金ナノ構造の周期配列の構造観察を、弘前大学の走査電子顕微鏡(SEM)を用いて進めている。構造観察が完了した後に、フーリエ変換型赤外分光装置を用いて赤外増強吸収の測定を行い、その増強メカニズムの検討を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本課題を進めるにあたり懇切丁寧にご指導・援助いただきました澤村智紀氏、藤原 誠氏、水島彩子氏に感謝申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 島田 透,佐藤 栞,鈴木裕史,塩谷 暢貴,下赤卓史,長谷川 健,“pMAIRS法によるポリアクリル酸薄膜の測定” 日本化学会第103春季年会(千葉),令和5年3月25日
  2. 島田 透,“pMAIRS法で解析するシリコン表面ナノ溝配列における赤外吸収の増強” 第6回MAIRSワークショップ:薄膜概念の拡張(京都),令和4年11月18日
  3. 佐藤 栞,鈴木裕史,塩谷 暢貴,下赤卓史,長谷川 健,島田 透,“シリコン表面ナノ溝構造における赤外吸収増強の配列周期依存性 ” 日本化学会第103春季年会(千葉),令和5年3月23日
  4. 宮内良広,島田 透,平田靖之,大野真也,梅村泰史,“一次元配列した球形金ナノ微粒子からの光第二高調波の精密計測” 日本物理学会2023年春季大会(オンライン),令和5年3月24日
  5. 島田 透,生田咲智,鈴木裕史,塩谷暢貴,下赤卓史,長谷川 健,“ナノ構造を有する半導体表面における赤外吸収の増強” 2022年度化学系学協会東北大会 化学教育研究協議会東北大会(岩手),令和4年9月17日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

スマートフォン用ページで見る